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NCP5181DR2G

IC: driver; demi-pont IGBT,demi-pont MOSFET; SO8; -2,2÷1,4A; Ch: 2

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
NCP5181DR2G
Référence TME:
NCP5181DR2G

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de circuit intégré
driver
Topologie
demi-pont IGBT, demi-pont MOSFET
Genre de circuit intégré
commande de ports, high-/low-side
Boîtier
SO8
Courant de base
-2,2...1,4A
Nombre de canaux
2
Montage
SMD
Température de travail
-40...125°C
Temps de croissance d'impulsion
60ns
Temps de baisse d'impulsion
40ns
Genre de la emballage
bande, rouleau
Classe de tension
600V
Protection
à sous tension UVP
Tension d'alimentation
  • 10...20V DC
Poids brut0.14 g
Certificates
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NCP5181DR2G
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