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NCP5183DR2G

IC: driver; demi-pont MOSFET; SO8; -4,3÷4,3A; 9÷18VDC; 600V


Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
NCP5183DR2G
Référence TME:
NCP5183DR2G

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de circuit intégré
driver
Topologie
demi-pont MOSFET
Genre de circuit intégré
commande de ports, high-side, low-side
Boîtier
SO8
Courant de base
-4,3...4,3A
Montage
SMD
Température de travail
-40...125°C
Temps de croissance d'impulsion
40ns
Temps de baisse d'impulsion
40ns
Classe de tension
600V
Tension d'alimentation
  • 9...18V DC
Poids brut1 g
Certificates

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NCP5183DR2G
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