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En savoir plus iciFabricant: ONSEMI
Fabricant | ONSEMI | ||
Type de transistor | P-MOSFET x2 | ||
La technologie | PowerTrench® | ||
Polarisation | unipolaire | ||
Tension drain-source | -60V | ||
Courant du drain | -0,34A | ||
Puissance de dissipation | 0,96W | ||
Boîtier | SuperSOT-6 | ||
Tension entrée-source | ±20V | ||
Résistance en état de conduction | 10Ω | ||
Montage | SMD | ||
Charge d'entrée | 2,2nC | ||
Genre de la emballage | bande, rouleau | ||
Genre de canal | enrichi |