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Fabricant: ONSEMI
Fabricant | ONSEMI | |
Type de transistor | P-MOSFET x2 | |
La technologie | PowerTrench® | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | -60V | |
Courant du drain | -0,34A | |
Puissance de dissipation | 0,96W | |
Boîtier | SuperSOT-6 | |
Tension entrée-source | ±20V | |
Résistance en état de conduction | 10Ω | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 2,2nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi |