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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET x2
La technologie	PowerTrench®
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	60V
Courant du drain	3,5A
Puissance de dissipation	2W
Boîtier	SO8
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	0,3Ω
Montage	SMD
Charge d'entrée	30nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

NDS9945

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 60V; 3,5A; 2W; SO8

Spécification