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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	60V
Courant du drain	2,7A
Courant du drain dans l'impulsion	10A
Puissance de dissipation	3W
Boîtier	SOT223
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	0,2Ω
Montage	SMD
Charge d'entrée	5nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

NDT014

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 60V; 2,7A; Idm: 10A; 3W; SOT223

Spécification