NGB8207ABNT4G
Transistor: IGBT; 365V; 20A; 165W; D2PAK; systèmes d'allumage; ESD
Fabricant: LITTELFUSE
Marque du fabricant:
NGB8207ABNT4G
Référence TME:
NGB8207ABNT4G
Spécification
Fabricant | LITTELFUSE | |
Type de transistor | IGBT | |
Tensions collecteur-émetteur | 365V | |
Courant du collecteur | 20A | |
Puissance de dissipation | 165W | |
Boîtier | D2PAK | |
Tension entrée - émetteur | ±15V | |
Courant du collecteur d'impulsion | 50A | |
Montage | SMD | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs | logic level | |
Utilisation | systèmes d'allumage | |
Version | ESD |
Poids brut1 g
Certificates
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