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NGTB35N65FL2WG

Transistor: IGBT; 650V; 35A; 150W; TO247-3

Famille de produits

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
NGTB35N65FL2WG
Référence TME:
NGTB35N65FL2WG

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
35A
Puissance de dissipation
150W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
120A
Montage
THT
Charge d'entrée
125nC
Genre de la emballage
tube
Poids brut6.05 g
Certificates
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NGTB35N65FL2WG
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Prix net pour les quantités de 20 pcs - 4.33 USDPrix brut pour les quantités de 20 pcs - 4.33 USD
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Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs