NSBC123JPDP6T5G

Name: ONSEMI NSBC123JPDP6T5G
Brand: ONSEMI
SKU: NSBC123JPDP6T5G
Availability: OutOfStock

Transistor: NPN / PNP; bipolaire; BRT,paire complémentaire; 50V

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:

NSBC123JPDP6T5G

Référence TME:

NSBC123JPDP6T5G

Prix net pour les quantités de 1 pcs - 0.53 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 0.53 USD

Prix net pour les quantités de 10 pcs - 0.32 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 0.32 USD

Prix net pour les quantités de 100 pcs - 0.20 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 0.20 USD

Prix net pour les quantités de 500 pcs - 0.13 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 0.13 USD

Prix net pour les quantités de 1000 pcs - 0.10 USDPrix brut pour les quantités de 1000 pcs - 0.10 USD

Prix net pour les quantités de 4000 pcs - 0.07 USDPrix brut pour les quantités de 4000 pcs - 0.07 USD

Prix net pour les quantités de 8000 pcs - 0.06 USDPrix brut pour les quantités de 8000 pcs - 0.06 USD

Prix net pour les quantités de 16000 pcs - 0.06 USDPrix brut pour les quantités de 16000 pcs - 0.06 USD

Nombre de pièces (Multiplication: 1)

Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	NPN / PNP
Polarisation	bipolaire
Genre de transistor	BRT, paire complémentaire
Tensions collecteur-émetteur	50V
Courant du collecteur	0,1A
Puissance de dissipation	408mW
Boîtier	SOT963
Renforcement du transistor	80...140
Montage	SMD
Quantité dans l'ensemble/paquet	8000pc
Genre de la emballage	bande, rouleau
Résistance base	2,2kΩ
Résistance émetteur-base	47kΩ