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NSVBCH817-40LT1G

Transistor: NPN; bipolaire; 45V; 0,5A; 0,25W; SOT23,TO236AB

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
NSVBCH817-40LT1G
Référence TME:
NSVBCH817-40LT1G

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
NPN
Polarisation
bipolaire
Tensions collecteur-émetteur
45V
Courant du collecteur
0,5A
Puissance de dissipation
0,25W
Boîtier
SOT23, TO236AB
Renforcement du transistor
250...600
Montage
SMD
Genre de la emballage
bande, rouleau
Fréquence
100MHz
Utilisation
industrie automobile
Poids brut0.01 g
Certificates
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NSVBCH817-40LT1G
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