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NSVBSS63LT1G

Transistor: PNP; bipolaire; 100V; 0,1A; 0,225W; SOT23,TO236AB

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
NSVBSS63LT1G
Référence TME:
NSVBSS63LT1G

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
PNP
Polarisation
bipolaire
Tensions collecteur-émetteur
100V
Courant du collecteur
0,1A
Puissance de dissipation
0,225W
Boîtier
SOT23, TO236AB
Renforcement du transistor
30
Montage
SMD
Genre de la emballage
bande, rouleau
Fréquence
50MHz
Utilisation
industrie automobile
Poids brut0.01 g
Certificates
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NSVBSS63LT1G
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