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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-JFET x2
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	25V
Courant du drain	20mA
Puissance de dissipation	0,7W
Boîtier	CPH6
Tension entrée-source	-25V
Montage	SMD
Genre de la emballage	bande, rouleau
Construction de semi-conducteur	source commune
courant d'entrée	10mA

NSVJ6904DSB6T1G

Transistor: N-JFET x2; unipolaire; 25V; 20mA; 0,7W; CPH6; Igt: 10mA

Spécification