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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	650V
Courant du drain	40A
Courant du drain dans l'impulsion	100A
Puissance de dissipation	313W
Boîtier	D2PAK-3
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	82mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	81nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

NTB082N65S3F

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 650V; 40A; Idm: 100A; 313W

Spécification