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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	100V
Courant du drain	60A
Courant du drain dans l'impulsion	239A
Puissance de dissipation	68W
Boîtier	D2PAK-3
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	9mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	23nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

NTBS9D0N10MC

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 100V; 60A; Idm: 239A; 68W; D2PAK-3

Spécification