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Fabricant	NTE Electronics
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Genre de transistor	RF
Tension drain-source	25V
Courant du drain	50mA
Puissance de dissipation	0,36W
Boîtier	TO72
Montage	THT
Genre de canal	appauvri
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs	dual gate
Version	ESD

NTE222

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; RF; 25V; 50mA; 360mW; TO72; ESD

Spécification