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Fabricant	NTE Electronics
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	600V
Courant du drain	3,9A
Courant du drain dans l'impulsion	25A
Puissance de dissipation	125W
Boîtier	TO220
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	1,2Ω
Montage	THT
Genre de canal	enrichi

NTE2379

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 600V; 3,9A; Idm: 25A; 125W; TO220

Spécification