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Fabricant	NTE Electronics
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	100V
Courant du drain	40A
Courant du drain dans l'impulsion	230A
Puissance de dissipation	200W
Boîtier	TO220
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	23mΩ
Montage	THT
Genre de canal	enrichi

NTE2909

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 100V; 40A; Idm: 230A; 200W; TO220

Spécification