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Fabricant	NTE Electronics
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	900V
Courant du drain	14A
Courant du drain dans l'impulsion	42A
Puissance de dissipation	275W
Boîtier	TO3P
Tension entrée-source	±30V
Résistance en état de conduction	0,63Ω
Montage	THT
Genre de canal	enrichi

NTE2973

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 900V; 14A; Idm: 42A; 275W; TO3P

Spécification