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Fabricant	NTE Electronics
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	600V
Courant du drain	5,7A
Courant du drain dans l'impulsion	36A
Puissance de dissipation	115W
Boîtier	TO220
Tension entrée-source	±30V
Résistance en état de conduction	0,65Ω
Montage	THT
Genre de canal	enrichi
Version	ESD

NTE2995

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 600V; 5,7A; Idm: 36A; 115W; TO220

Spécification