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NTE4151PT1G

Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -20V; -0,76A; 313mW; SC89


Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
NTE4151PT1G
Référence TME:
NTE4151PT1G

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
-20V
Courant du drain
-0,76A
Puissance de dissipation
313mW
Boîtier
SC89
Tension entrée-source
±6V
Résistance en état de conduction
Montage
SMD
Charge d'entrée
2,1nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.012 g
Certificates

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NTE4151PT1G
3112 dans l'entrepôt TME
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Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 3 000 pcs