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NTGD4167CT1G

Transistor: N/P-MOSFET; unipolaire; paire complémentaire; 0,9W

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
NTGD4167CT1G
Référence TME:
NTGD4167CT1G

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Genre de transistor
paire complémentaire
Tension drain-source
30/-30V
Courant du drain
1,9/-1,4A
Puissance de dissipation
0,9W
Boîtier
TSOP6
Tension entrée-source
±12V
Résistance en état de conduction
90/170mΩ
Montage
SMD
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.1 g
Certificates

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NTGD4167CT1G
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