NTHD3100CT1G

Name: ONSEMI NTHD3100CT1G
Brand: ONSEMI
SKU: NTHD3100CT1G
Availability: InStock

Transistor: N/P-MOSFET; unipolaire; paire complémentaire; 3,1W

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:

NTHD3100CT1G

Référence TME:

NTHD3100CT1G

Prix net pour les quantités de 1 pcs - 1.58 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 1.58 USD

Prix net pour les quantités de 10 pcs - 1.07 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 1.07 USD

Prix net pour les quantités de 25 pcs - 0.85 USDPrix brut pour les quantités de 25 pcs - 0.85 USD

Prix net pour les quantités de 50 pcs - 0.72 USDPrix brut pour les quantités de 50 pcs - 0.72 USD

Prix net pour les quantités de 100 pcs - 0.62 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 0.62 USD

Prix net pour les quantités de 250 pcs - 0.54 USDPrix brut pour les quantités de 250 pcs - 0.54 USD

Prix net pour les quantités de 500 pcs - 0.53 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 0.53 USD

Nombre de pièces (Multiplication: 1)

Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 3 000 pcs

Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N/P-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Genre de transistor	paire complémentaire
Tension drain-source	20/-20V
Courant du drain	3,9/-4,4A
Courant du drain dans l'impulsion	12A
Puissance de dissipation	3,1W
Boîtier	ChipFET
Tension entrée-source	±12/±8V
Résistance en état de conduction	115/110mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	7,4nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi