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NTHD3102CT1G

Transistor: N/P-MOSFET; unipolaire; paire complémentaire; 600mW

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
NTHD3102CT1G
Référence TME:
NTHD3102CT1G

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Genre de transistor
paire complémentaire
Tension drain-source
20/-20V
Courant du drain
5,5/-4,2A
Courant du drain dans l'impulsion
16A
Puissance de dissipation
0,6W
Boîtier
ChipFET
Tension entrée-source
±8/±8V
Résistance en état de conduction
37/83mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
5,8/6,6nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.01 g
Certificates

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NTHD3102CT1G
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