NTHD4102PT1G

Name: ONSEMI NTHD4102PT1G
Brand: ONSEMI
SKU: NTHD4102PT1G
Availability: OutOfStock

Transistor: P-MOSFET x2; unipolaire; -20V; -4,1A; Idm: -16A; 2,1W

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:

NTHD4102PT1G

Référence TME:

NTHD4102PT1G

Prix net pour les quantités de 1 pcs - 1.62 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 1.62 USD

Prix net pour les quantités de 10 pcs - 1.13 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 1.13 USD

Prix net pour les quantités de 25 pcs - 0.94 USDPrix brut pour les quantités de 25 pcs - 0.94 USD

Prix net pour les quantités de 50 pcs - 0.82 USDPrix brut pour les quantités de 50 pcs - 0.82 USD

Prix net pour les quantités de 100 pcs - 0.72 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 0.72 USD

Prix net pour les quantités de 250 pcs - 0.61 USDPrix brut pour les quantités de 250 pcs - 0.61 USD

Prix net pour les quantités de 500 pcs - 0.55 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 0.55 USD

Prix net pour les quantités de 1000 pcs - 0.53 USDPrix brut pour les quantités de 1000 pcs - 0.53 USD

Nombre de pièces (Multiplication: 1)

Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	P-MOSFET x2
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	-20V
Courant du drain	-4,1A
Courant du drain dans l'impulsion	-16A
Puissance de dissipation	2,1W
Boîtier	ChipFET
Tension entrée-source	±8V
Résistance en état de conduction	80mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	7,6nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi