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NTJD4105CT1G

Transistor: N/P-MOSFET; unipolaire; paire complémentaire; 20/-8V

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
NTJD4105CT1G
Référence TME:
NTJD4105CT1G

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Genre de transistor
paire complémentaire
Tension drain-source
20/-8V
Courant du drain
0,63/-0,755A
Puissance de dissipation
0,27W
Boîtier
SC70-6, SC88, SOT363
Tension entrée-source
±8V, ±12V
Résistance en état de conduction
445/900mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
3/4nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Version
ESD
Poids brut0.013 g
Certificates

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NTJD4105CT1G
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