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NTJD4152PT1G

Transistor: P-MOSFET x2; unipolaire; -20V; -880mA; 181mW; SC88; ESD

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
NTJD4152PT1G
Référence TME:
NTJD4152PT1G

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
P-MOSFET x2
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
-20V
Courant du drain
-880mA
Puissance de dissipation
181mW
Boîtier
SC88
Tension entrée-source
±12V
Résistance en état de conduction
0,26Ω
Montage
SMD
Charge d'entrée
2,2nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Version
ESD
Poids brut0.01 g
Certificates
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NTJD4152PT1G
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