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NTJD4158CT1G

Transistor: N/P-MOSFET; unipolaire; paire complémentaire; 270mW

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
NTJD4158CT1G
Référence TME:
NTJD4158CT1G

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Genre de transistor
paire complémentaire
Tension drain-source
30/-20V
Courant du drain
250/-880mA
Puissance de dissipation
0,27W
Boîtier
SC88
Tension entrée-source
±20/±12V
Résistance en état de conduction
1Ω/215mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
900pC/2,2nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.01 g
Certificates
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NTJD4158CT1G
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