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En savoir plus iciFabricant: ONSEMI
Fabricant | ONSEMI | |
Type de transistor | P-MOSFET x2 | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | -20V | |
Courant du drain | -4,1A | |
Courant du drain dans l'impulsion | -20A | |
Puissance de dissipation | 2,3W | |
Boîtier | WDFN6 | |
Tension entrée-source | ±8V | |
Résistance en état de conduction | 0,1Ω | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 5,5nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi |