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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N/P-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Genre de transistor	paire complémentaire
Tension drain-source	20/-20V
Courant du drain	2,8/-2,4A
Puissance de dissipation	1,5W
Boîtier	WDFN6
Tension entrée-source	±8V
Résistance en état de conduction	65/100mΩ
Montage	SMD
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

NTLJD3119CTBG

Transistor: N/P-MOSFET; unipolaire; paire complémentaire; 1,5W

Spécification

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