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NTMD3P03R2G

Transistor: P-MOSFET x2; unipolaire; -30V; -3,05A; Idm: -12A; 1,25W

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
NTMD3P03R2G
Référence TME:
NTMD3P03R2G

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
P-MOSFET x2
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
-30V
Courant du drain
-3,05A
Courant du drain dans l'impulsion
-12A
Puissance de dissipation
1,25W
Boîtier
SO8
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
85mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
16nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.1 g
Certificates
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NTMD3P03R2G
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