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NTMFD6H846NLT1G

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 80V; 31A; Idm: 114A; 17W; DFN8

Famille de produits

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
NTMFD6H846NLT1G
Référence TME:
NTMFD6H846NLT1G

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
80V
Courant du drain
31A
Courant du drain dans l'impulsion
114A
Puissance de dissipation
17W
Boîtier
DFN8
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
15mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
17nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.01 g
Certificates
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NTMFD6H846NLT1G
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