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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	150V
Courant du drain	31A
Courant du drain dans l'impulsion	131A
Puissance de dissipation	62,5W
Boîtier	PQFN8
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	31mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	12nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

NTMFS034N15MC

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 150V; 31A; Idm: 131A; 62,5W; PQFN8

Spécification