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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	100V
Courant du drain	151A
Courant du drain dans l'impulsion	775A
Puissance de dissipation	138W
Boîtier	PQFN8
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	3,2mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	60nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

NTMFS10N3D2C

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 100V; 151A; Idm: 775A; 138W; PQFN8

Spécification