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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	100V
Courant du drain	78A
Courant du drain dans l'impulsion	364A
Puissance de dissipation	83W
Boîtier	PQFN8
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	7,2mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	26nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

NTMFS10N7D2C

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 100V; 78A; Idm: 364A; 83W; PQFN8

Spécification