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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET x2
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	80V
Courant du drain	61A
Courant du drain dans l'impulsion	180A
Puissance de dissipation	31,2W
Boîtier	DFN8
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	10mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	29,3nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

NTMFSC011N08M7

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 80V; 61A; Idm: 180A; 31,2W

Spécification