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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	100V
Courant du drain	116A
Courant du drain dans l'impulsion	900A
Puissance de dissipation	122W
Boîtier	DFN8
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	4,3mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	42nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

NTMFSC4D2N10MC

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 100V; 116A; Idm: 900A; 122W; DFN8

Spécification