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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	60V
Courant du drain	237A
Courant du drain dans l'impulsion	1698A
Puissance de dissipation	57W
Boîtier	TDFN9
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	1,5mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	102,6nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

NTMFSS1D5N06CL

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 60V; 237A; Idm: 1698A; 57W; TDFN9

Spécification