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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	150V
Courant du drain	174A
Courant du drain dans l'impulsion	900A
Puissance de dissipation	293W
Boîtier	DFNW8
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	4,45mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	79nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

NTMTS4D3N15MC

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 150V; 174A; Idm: 900A; 293W; DFNW8

Spécification