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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	60V
Courant du drain	21A
Courant du drain dans l'impulsion	103A
Puissance de dissipation	7,6W
Boîtier	LFPAK56
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	27,5mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	5,8nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

NTMYS025N06CLTWG

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 60V; 21A; Idm: 103A; 7,6W; LFPAK56

Spécification