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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N/P-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Genre de transistor	paire complémentaire
Tension drain-source	100/-100V
Courant du drain	9,5/-5A
Courant du drain dans l'impulsion	33A
Puissance de dissipation	14/10W
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	70/186mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	5,6/7,3nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

NTTBC070NP10M5L

Transistor: N/P-MOSFET; unipolaire; paire complémentaire; 14/10W

Spécification