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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET x2
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	100V
Courant du drain	24A
Courant du drain dans l'impulsion	349A
Puissance de dissipation	26W
Boîtier	WQFN12
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	25mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	9nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

NTTFD022N10C

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 100V; 24A; Idm: 349A; 26W

Spécification