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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET x2
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	30V
Courant du drain	80A
Puissance de dissipation	26W
Boîtier	WQFN12
Résistance en état de conduction	2,5mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	9,5/9,3nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

NTTFD2D8N03P1E

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 30V; 80A; 26W; WQFN12

Spécification