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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N/P-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Genre de transistor	paire complémentaire
Tension drain-source	20/-20V
Courant du drain	0,16/-0,14A
Puissance de dissipation	0,125W
Boîtier	SOT963
Tension entrée-source	±8V
Résistance en état de conduction	1,5/5Ω
Montage	SMD
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi
Version	ESD

NTUD3169CZT5G

Transistor: N/P-MOSFET; unipolaire; paire complémentaire; 0,125W

Spécification

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