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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET x2
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	20V
Courant du drain	0,16A
Puissance de dissipation	0,125W
Boîtier	SOT963
Tension entrée-source	±8V
Résistance en état de conduction	1,5Ω
Montage	SMD
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi
Version	ESD

NTUD3170NZT5G

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 20V; 0,16A; 0,125W; SOT963

Spécification

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