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NTZD5110NT1G

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 60V; 0,225A; 0,28W; SOT563F

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
NTZD5110NT1G
Référence TME:
NTZD5110NT1G

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
60V
Courant du drain
0,225A
Puissance de dissipation
0,28W
Boîtier
SOT563F
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
1,6Ω
Montage
SMD
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Version
ESD
Poids brut0.01 g
Certificates

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NTZD5110NT1G
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Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 4 000 pcs