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NVB082N65S3F

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 650V; 40A; Idm: 100A; 313W; D2PAK

Famille de produits

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
NVB082N65S3F
Référence TME:
NVB082N65S3F

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
650V
Courant du drain
40A
Courant du drain dans l'impulsion
100A
Puissance de dissipation
313W
Boîtier
D2PAK
Tension entrée-source
±30V
Résistance en état de conduction
82mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
81nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut1.5 g
Certificates
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NVB082N65S3F
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