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Fabricant	ONSEMI
Type de module semi-conducteur	IGBT
Construction de semi-conducteur	transistor/transistor
Topologie	demi-pont IGBT x3, thermistor NTC
Tension inverse max.	750V
Courant du collecteur	660A
Boîtier	SSDC33
Utilisation	industrie automobile
Montage électrique	Press-in PCB, vissés
Tension entrée - émetteur	±20V
Courant du collecteur d'impulsion	1,32kA
Montage mécanique	vissés

NVH660S75L4SPFC

Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT x3; Ic: 660A

Spécification