NVJS4151PT1G

Name: ONSEMI NVJS4151PT1G
Brand: ONSEMI
SKU: NVJS4151PT1G
Availability: OutOfStock

Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -20V; -4,1A; Idm: -13A; 1,2W; SC88

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:

NVJS4151PT1G

Référence TME:

NVJS4151PT1G

Prix net pour les quantités de 1 pcs - 0.49 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 0.49 USD

Prix net pour les quantités de 5 pcs - 0.43 USDPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 0.43 USD

Prix net pour les quantités de 10 pcs - 0.39 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 0.39 USD

Prix net pour les quantités de 100 pcs - 0.32 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 0.32 USD

Prix net pour les quantités de 500 pcs - 0.28 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 0.28 USD

Prix net pour les quantités de 1000 pcs - 0.26 USDPrix brut pour les quantités de 1000 pcs - 0.26 USD

Prix net pour les quantités de 3000 pcs - 0.25 USDPrix brut pour les quantités de 3000 pcs - 0.25 USD

Nombre de pièces (Multiplication: 1)

La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.

Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	-20V
Courant du drain	-4,1A
Courant du drain dans l'impulsion	-13A
Puissance de dissipation	1,2W
Boîtier	SC88
Tension entrée-source	±12V
Résistance en état de conduction	67mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	10nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi