NVMD4N03R2G

Name: ONSEMI NVMD4N03R2G
Brand: ONSEMI
SKU: NVMD4N03R2G
Availability: OutOfStock

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 30V; 4A; Idm: 12A; 2W; SO8

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:

NVMD4N03R2G

Référence TME:

NVMD4N03R2G

Prix net pour les quantités de 1 pcs - 1.76 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 1.76 USD

Prix net pour les quantités de 10 pcs - 1.15 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 1.15 USD

Prix net pour les quantités de 100 pcs - 0.80 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 0.80 USD

Prix net pour les quantités de 500 pcs - 0.73 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 0.73 USD

Nombre de pièces (Multiplication: 1)

Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET x2
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	30V
Courant du drain	4A
Courant du drain dans l'impulsion	12A
Puissance de dissipation	2W
Boîtier	SO8
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	60mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	8nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi