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NVMFD5C650NLT1G

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 60V; 111A; Idm: 502A; 62W; DFN8

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
NVMFD5C650NLT1G
Référence TME:
NVMFD5C650NLT1G

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
60V
Courant du drain
111A
Courant du drain dans l'impulsion
502A
Puissance de dissipation
62W
Boîtier
DFN8
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
4,2mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
37nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.01 g
Certificates
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NVMFD5C650NLT1G
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