NVMFD6H852NLT1G

Name: ONSEMI NVMFD6H852NLT1G
Brand: ONSEMI
SKU: NVMFD6H852NLT1G
Availability: OutOfStock

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 80V; 25A; Idm: 98A; 19W; DFN8

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:

NVMFD6H852NLT1G

Référence TME:

NVMFD6H852NLT1G

Prix net pour les quantités de 1 pcs - 1.80 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 1.80 USD

Prix net pour les quantités de 10 pcs - 1.18 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 1.18 USD

Prix net pour les quantités de 30 pcs - 1.00 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 1.00 USD

Prix net pour les quantités de 100 pcs - 0.82 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 0.82 USD

Prix net pour les quantités de 120 pcs - 0.80 USDPrix brut pour les quantités de 120 pcs - 0.80 USD

Prix net pour les quantités de 300 pcs - 0.68 USDPrix brut pour les quantités de 300 pcs - 0.68 USD

Prix net pour les quantités de 500 pcs - 0.63 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 0.63 USD

Prix net pour les quantités de 1000 pcs - 0.61 USDPrix brut pour les quantités de 1000 pcs - 0.61 USD

Nombre de pièces (Multiplication: 1)

Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET x2
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	80V
Courant du drain	25A
Courant du drain dans l'impulsion	98A
Puissance de dissipation	19W
Boîtier	DFN8
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	25,5mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	10nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi